ขอบเขตการใช้งานของเป้าหมายสปัตเตอร์

ดังที่เราทุกคนทราบกันดีว่าเป้าหมายการสปัตเตอร์มีข้อกำหนดหลายประการ และขอบเขตการใช้งานก็กว้างมากเช่นกันประเภทของเป้าหมายที่ใช้กันทั่วไปในสาขาต่างๆ ก็แตกต่างกันเช่นกันวันนี้มาเรียนรู้เกี่ยวกับการจำแนกประเภทฟิลด์แอปพลิเคชันเป้าหมายสปัตเตอร์กับโปรแกรมแก้ไขของ RSM กัน!

　　1、 คำจำกัดความของเป้าหมายสปัตเตอร์

สปัตเตอร์ริ่งเป็นหนึ่งในเทคโนโลยีหลักในการเตรียมวัสดุฟิล์มบางโดยจะใช้ไอออนที่ผลิตโดยแหล่งกำเนิดไอออนเพื่อเร่งและรวมตัวกันในสุญญากาศเพื่อสร้างลำแสงไอออนความเร็วสูง ถล่มพื้นผิวแข็ง และไอออนจะแลกเปลี่ยนพลังงานจลน์กับอะตอมบนพื้นผิวแข็ง เพื่อให้อะตอมบนของแข็ง พื้นผิวจะถูกแยกออกจากของแข็งและสะสมอยู่บนพื้นผิวของวัสดุพิมพ์ของแข็งที่ถูกทิ้งระเบิดเป็นวัตถุดิบในการเตรียมฟิล์มบางที่สะสมโดยการสปัตเตอร์ ซึ่งเรียกว่าเป้าหมายสปัตเตอร์

　　2、 การจำแนกประเภทของฟิลด์แอปพลิเคชันเป้าหมายสปัตเตอร์

　1. เป้าหมายเซมิคอนดักเตอร์

(1) เป้าหมายทั่วไป: เป้าหมายทั่วไปในด้านนี้ได้แก่โลหะที่มีจุดหลอมเหลวสูง เช่น แทนทาลัม / ทองแดง / ไทเทเนียม / อลูมิเนียม / ทอง / นิกเกิล

(2) การใช้งาน: ส่วนใหญ่ใช้เป็นวัตถุดิบสำคัญสำหรับวงจรรวม

(3) ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพ: ข้อกำหนดทางเทคนิคสูงสำหรับความบริสุทธิ์ ขนาด การรวม ฯลฯ

　　2. เป้าหมายสำหรับจอแบน

(1) เป้าหมายทั่วไป: เป้าหมายทั่วไปในด้านนี้ ได้แก่ อลูมิเนียม / ทองแดง / โมลิบดีนัม / นิกเกิล / ไนโอเบียม / ซิลิคอน / โครเมียม ฯลฯ

(2) การใช้งาน: เป้าประเภทนี้ส่วนใหญ่จะใช้กับภาพยนตร์พื้นที่ขนาดใหญ่ประเภทต่างๆ เช่น ทีวี และโน้ตบุ๊ก

(3) ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพ: ข้อกำหนดสูงสำหรับความบริสุทธิ์ พื้นที่ขนาดใหญ่ ความสม่ำเสมอ ฯลฯ

　　3. วัสดุเป้าหมายสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์

(1) เป้าหมายทั่วไป: อลูมิเนียม / ทองแดง / โมลิบดีนัม / โครเมียม / ITO / Ta และเป้าหมายอื่น ๆ สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์

(2) การใช้งาน: ส่วนใหญ่ใช้ใน "ชั้นหน้าต่าง" ชั้นกั้น อิเล็กโทรด และฟิล์มนำไฟฟ้า

(3) ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพ: ข้อกำหนดทางเทคนิคระดับสูงและช่วงการใช้งานที่กว้าง

　　4. เป้าหมายในการจัดเก็บข้อมูล

(1) เป้าหมายทั่วไป: เป้าหมายทั่วไปของโคบอลต์ / นิกเกิล / โลหะผสมเหล็ก / โครเมียม / เทลลูเรียม / ซีลีเนียมและวัสดุอื่น ๆ สำหรับการจัดเก็บข้อมูล

(2) การใช้งาน: วัสดุเป้าหมายประเภทนี้ส่วนใหญ่จะใช้สำหรับหัวแม่เหล็ก ชั้นกลาง และชั้นล่างของออปติคัลไดรฟ์และดิสก์ออปติคัล

(3) ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพ: จำเป็นต้องมีความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลสูงและความเร็วในการส่งข้อมูลสูง

　　5. เป้าหมายในการปรับเปลี่ยนเครื่องมือ

(1) เป้าหมายทั่วไป: เป้าหมายทั่วไปเช่นโลหะผสมอลูมิเนียมไทเทเนียม / เซอร์โคเนียม / โครเมียมที่ดัดแปลงโดยเครื่องมือ

(2) การใช้งาน: มักใช้สำหรับการเสริมความแข็งแรงของพื้นผิว

(3) ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพ: ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพสูงและอายุการใช้งานที่ยาวนาน

　　6. เป้าหมายสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

(1) เป้าหมายทั่วไป: เป้าหมายโลหะผสมอลูมิเนียม / ซิลิไซด์ทั่วไปสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

(2) วัตถุประสงค์: โดยทั่วไปใช้สำหรับตัวต้านทานและตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบาง

(3) ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพ: ขนาดเล็ก เสถียรภาพ ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิความต้านทานต่ำ